标准详情
- 标准名称：碳化硅单晶
- 标准号：T/IAWBS 001-2021
- 发布日期：2021-09-16
- 实施日期：2021-09-23
- 中国标准号：/C398
- 国际标准号：29.045
- 团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
- 标准分类：电子元件及电子专用材料制造
T/IAWBS 001-2021 碳化硅单晶
T/IAWBS 001-2021
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内容简介
本文件规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、检测方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等
本文件适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶
产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延衬底
碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，2英寸、3英寸、4英寸、6英寸中碳化硅单晶的生长质量也得到进一步提升。另外国内8英寸（150.0mm）碳化硅单晶已经面世，填补了我国在8英寸方面的空白。因此需要对T/IAWBS001-2017《碳化硅单晶》团体标准中关于2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）、4英寸（100.0mm）、6英寸中相关指标要求进行调整，来满足不同用途的产品质量标准。
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司。
起草人
佘宗静、王大军、彭同华、王波、刘春俊、杨建
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