当前位置:主页行业标准

SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

SJ/T 2658.16-2016

行业标准-电子 推荐性 现行
收藏 报错

标准详情

  • 标准名称:半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
  • 标准号:SJ/T 2658.16-2016
  • 发布日期:2016-01-15
  • 实施日期:2016-06-01
  • 中国标准号:L53
  • 国际标准号:31.260
  • 代替标准:
  • 技术归口:工业和信息化部电子工业标准化研究院
  • 主管部门:工业和信息化部
  • 标准分类:电子学电子光电子学激光设备

内容简介

行业标准《半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报,主管部门为工业和信息化部。本部分规定了半导体红外发射二极管光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。适用于半导体红外发射二极管。

起草单位

工业和信息化部电子工业标准化研究院、

起草人

张戈、赵英、

相近标准

SJ/T2658.1-2015半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则SJ/T2658.14-2016半导体红外发射二极管测量方法第14部分:结温SJ/T2658.15-2016半导体红外发射二极管测量方法第15部分:热阻SJ/T2658.2-2015半导体红外发射二极管测量方法第2部分:正向电压SJ/T2658.7-2015半导体红外发射二极管测量方法第7部分:辐射通量SJ/T2658.4-2015半导体红外发射二极管测量方法第4部分:总电容SJ/T2658.10-2015半导体红外发射二极管测量方法第10部分:调制带宽SJ/T2658.5-2015半导体红外发射二极管测量方法第5部分:串联电阻SJ/T2658.8-2015半导体红外发射二极管测量方法第8部分:辐射强度SJ/T2658.6-2015半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,仅供个人标准化学习、研究使用。如有侵权,请及时联系我们!