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SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

SJ 20858-2002

行业标准-电子 强制性 现行
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标准详情

  • 标准名称:碳化硅单晶材料电学参数测试方法
  • 标准号:SJ 20858-2002
  • 发布日期:2002-12-12
  • 实施日期:2003-05-01
  • 中国标准号:CCS8,
  • 国际标准号:
  • 代替标准:
  • 技术归口:
  • 主管部门:
  • 标准分类:冶金半金属与半导体材料元素半导体材料

内容简介

本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SIC、6H-SIC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六所

起草人

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