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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

GB/T 36646-2018

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标准详情

  • 标准名称:制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
  • 标准号:GB/T 36646-2018
  • 发布日期:2018-09-17
  • 实施日期:2019-01-01
  • 中国标准号:L95
  • 国际标准号:31.220
  • 代替标准:
  • 技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电子学电子电信设备用机电元件

内容简介

国家标准《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、

起草人

刘鹏、孙永健、王健辉、丁晓民、冯亚彬、

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