当前位置:主页行业标准

SJ 20016-1992 半导体分立器件 gp、gt和gct级3dg182型npn硅小功率高反压晶体管详细规范

SJ 20016-1992 半导体分立器件 gp、gt和gct级3dg182型npn硅小功率高反压晶体管详细规范

SJ 20016-1992

行业标准-电子 强制性 现行
收藏 报错

标准详情

  • 标准名称:半导体分立器件 gp、gt和gct级3dg182型npn硅小功率高反压晶体管详细规范
  • 标准号:SJ 20016-1992
  • 发布日期:1992-02-01
  • 实施日期:1992-05-01
  • 中国标准号:CCS1,
  • 国际标准号:522.540.541.
  • 代替标准:
  • 技术归口:中国电子技术标准化研究所
  • 主管部门:
  • 标准分类:综合电子学标准化管理与一般规定技术管理半导体器件半导体器件综合

内容简介

本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

起草单位

中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂

起草人

王长福、龚云、葛毅妮

相近标准

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,仅供个人标准化学习、研究使用。如有侵权,请及时联系我们!