GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
GB/T 8760-2006
国家标准 推荐性 被代替
收藏
报错
内容简介
国家标准《砷化镓单晶位错密度的测量方法》由610（中国有色金属工业协会）归口上报及执行，主管部门为中国有色金属工业协会。
起草单位
北京有色金属研究总院、
起草人
王彤涵、
相近标准
20021943-T-610砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T8760-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法砷化镓单晶位错密度的测试方法20173473-T-610砷化镓单晶位错密度的测试方法GB/T8760-2020砷化镓单晶位错密度的测试方法GB/T5252-1985锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法20120280-T-469蓝宝石单晶位错密度测量方法GB/T33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法20021940-T-610锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，仅供个人标准化学习、研究使用。如有侵权，请及时联系我们！