标准详情
- 标准名称：碳化硅混合模块测试方法
- 标准号：T/IAWBS 006-2018
- 发布日期：2018-12-06
- 实施日期：2018-12-17
- 中国标准号：/C397
- 国际标准号：29.045
- 团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
- 标准分类：电子器件制造
T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法
T/IAWBS 006-2018
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内容简介
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES,二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息。
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北 京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技（北 京）有限公司
起草人
张瑾，仇志杰，陆敏，彭同华，刘振洲，王志超，陈彤，郑红军， 林雪如，陈鹏，刘祎晨
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