标准详情
- 标准名称：4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
- 标准号：T/CASAS 004.1-2018
- 发布日期：2018-11-20
- 实施日期：2018-11-20
- 中国标准号：/M731
- 国际标准号：31.080.01
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：半导体器分立件综合自然科学研究和试验发展
T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
T/CASAS 004.1-2018
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内容简介
由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。
起草单位
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
起草人
孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
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