标准详情
- 标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- 标准号：T/CASAS 006-2020
- 发布日期：2020-12-28
- 实施日期：2021-01-01
- 中国标准号：/C397
- 国际标准号：29.045
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：电子器件制造
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 006-2020
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内容简介
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法
本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容，并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。
起草单位
中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
起草人
许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬
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