GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
GB/T 41853-2022
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内容简介
国家标准《半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
起草单位
中国电子科技集团公司第十三研究所、中机生产力促进中心有限公司、杭州左蓝微电子技术有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、河北美泰电子科技有限公司、华东光电集成器件研究所、深圳市美思先端电子有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、
起草人
李倩、王伟强、翟晓飞、何凯旋、崔波、武斌、王冲、顾枫、李根梓、田松杰、刘建生、汪蔚、高峰、
相近标准
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