DB52/T 1104-2016 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法

内容简介

地方标准《半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法》，主管部门为贵州省质量技术监督局。本标准规定了具有单一热流路径的半导体器件结-壳热阻RTH(J-C)的瞬态测试方法。本标准适用于具有单一热流路径的半导体器件。

起草单位

起草人

相近标准

GB/T8446.2-1987电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法SJ/T10482-1994半导体深能级的瞬态电容测试方法GB/T8446.2-2004电力半导体器件用散热器第2部分:热阻和流阻测试方法半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件20201543-T-339半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件SJ/T10414-2015半导体器件用焊料JB/T4277-1996电力半导体器件包装SJ/T10414-1993半导体器件用焊料JB/T2423-1999电力半导体器件型号编制方法GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范